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本文采用K6P4O13（K6）作助熔剂来生长Rb：KTP晶体，所生长的晶体具有电导率低，吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点。本文按照生长比例KTP：K6=1．345：1（物质的量比），Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1．4mol％左右来进行配料。测量了Rb：KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0．87mol％，经过测试，晶体的电导率达到10^-10S／cm。测试了晶体随时间延长的光能吸收，发现Rb：KTP晶体的吸收系数比较稳定，并进行了晶体抗灰迹性能激光测试，发现Rb：KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的