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采用无机溶胶-凝胶法，以钨酸氨和V2O5的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂，在云母片（001）表面制备W掺杂VO2薄膜。采用AFM、XPS、XRD分析了薄膜形貌和微观结构，利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率，确定W掺杂薄膜的相变温度。结果表明，钨元素以W^6＋形式掺入VO2晶体，取代晶格中部分V原子。掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降，每掺入1％W^6＋，VO2薄膜相变温度下降19．8℃。当掺入W^6＋量为2．04％，其相变温度下降到28℃。