【摘 要】
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采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si（100）衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学技术大学核科学技术学院
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采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si（100）衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究.结果表明,室温下制备薄膜为非晶,衬底温度400℃时已经形成单斜相的HfO2薄膜,1000℃退火后薄膜更趋向于（1-11）晶面取向,且结晶质量改善.薄膜的局域结构研究显示低衬底温度下生长的样品具有更短的Hf-O键长和更高的无序度.薄膜结构和薄膜质量影响其远红外声子模式,使得一些低频红外声子模式消失,
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