锗上等离子体氧化膜的红外吸收光谱

来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xtfw99

【摘要】

：

在高频激发的氧等离子体中实现了锗的阳极氧化.用IR-450S型红外分光光度计测量了锗上等离子体阳极氧化膜的红外透射比.实验指出,该氧化模靠近870cm~(-1)、560cm~(-1)各有一个红外吸收带.红外吸收数据与Sen和Thorpe的中心力网络模型的振动带边相结合,算出锗氧化膜的Ge-O键伸缩力常数α=439N/m,Ge-O-Ge键角θ=129°.

【作者】

：

刘春荣戚震中

【机构】

：

安徽大学物理系中国科学院固体物理研究所

【出处】

：

光学学报

【发表日期】

：

1986年6期

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