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利用脉冲激光微束单粒子效应（SEE）模拟装置,研究了铁电存储器（FRAM）工作频率对其单粒子翻转（SEU）的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面。对FRAM工作时序及不同芯片使能信号（CE）占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系。本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定（SEL）敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模