【摘 要】
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①目的观察低强度半导体激光(LISCL)疗法对认知障碍病人脑功率和事件相关电位P300峰潜伏期(P3PL)的影响.②方法应用LISCL对60例认知障碍病人进行治疗,分别于治疗前、治疗5次
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①目的观察低强度半导体激光(LISCL)疗法对认知障碍病人脑功率和事件相关电位P300峰潜伏期(P3PL)的影响.②方法应用LISCL对60例认知障碍病人进行治疗,分别于治疗前、治疗5次和10次后采用CFM-8便携式脑电监测仪和神经电检仪检测脑功率和P3PL的变化.③结果治疗前脑功率表现为额叶、颞叶及枕叶脑电慢波成分较多,异常的高功率含量区(δ,θ)值分别于治疗5次和10次后逐渐减少,额叶、颞叶底部及枕叶慢波指数降低,而α,β频段减少的功率含量值逐渐增高,表现为(δ+θ)/(α+β)减小,与治疗前比较差异
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