掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lryna22

【摘要】

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利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对

【作者】

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仇志军桂永胜崔利杰曾一平黄志明疏小舟戴宁郭少令

【机构】

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中国科学院上海技术物理所,红外物理国家重点实验室,上海,200083中国科学院北京半导体所,北京,100083;

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2004年5期

【关键词】

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InGaAs/InAlAs量子阱磁输运对称态反对称态

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利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.

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