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研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明：当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上，能够得到最好的晶体质量；SiNx 插入层的生长位置对GaN 薄膜的应变大小基本没有影响；然而，插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。
SiNx 掩膜对GaN 外延薄膜性质的影响
【摘 要】
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研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明：当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上，能够得到最好的晶体质量；SiNx 插入层的生长位
【机 构】
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厦门理工学院
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2015年5期
【基金项目】
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厦门理工学院教学改革与建设项目（题目：必修、选修工种相结合的新型工程训练培养模式编号：JGY201459）
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