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利用缓变沟道近似（ＧＣＡ）及准二维分析，提出了在７７－－２９５Ｋ温区工作的ＮＭＯＳＦＥＴ的解析模型。建模中不仅考虑迁移率蜕变（电场引起）、载流子速度饱和及沟道调制效应，而且计入温度相关参数的温度特性。模拟结果显示了该模型的正确性及其在低温热载流子效应中的应用潜力。
低温NMOSFET的解析模型
【摘 要】
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利用缓变沟道近似（ＧＣＡ）及准二维分析，提出了在７７－－２９５Ｋ温区工作的ＮＭＯＳＦＥＴ的解析模型。建模中不仅考虑迁移率蜕变（电场引起）、载流子速度饱和及沟道调制效应，而且计入温度相关参数的温度特性。模拟结果
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1995年1期
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