固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guigui198302

【摘要】

：

通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多结构固反应得到的外延ＣＯＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结，研究了ＣｏＳｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性，注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结

【作者】

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房华李炳宗吴卫军邵凯姜国宝顾志光黄维宁刘平周

【机构】

：

复旦大学电子工程系,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,香港城市大学物理及材料科学系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1996年4期

【关键词】

：

CoSi薄膜固相外延生长 n+p结半导体材料

【基金项目】

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国家自然科学基金

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通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多结构固反应得到的外延ＣＯＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结，研究了ＣｏＳｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性，注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性，实验结时表明，外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同

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