【摘 要】
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伴随着CMOS技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小,传统CMOS工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于PMOS驱动电流的要求。在关键尺寸进入28 nm及以下后,必须采
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)
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伴随着CMOS技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小,传统CMOS工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于PMOS驱动电流的要求。在关键尺寸进入28 nm及以下后,必须采用锗硅(SiGe)外延技术来加大PMOS的压应力,以此提高器件的整体响应速度。而在锗硅(SiGe)外延技术中,西格玛沟槽刻蚀是影响PMOS驱动电流的关键工艺步骤。西格玛沟槽刻蚀的关键尺寸的稳定性决定了器件性能的稳定性。西格玛沟槽刻蚀由一系列的干法刻蚀、湿法清洗、湿法刻蚀组成,其工艺的关键尺寸达到原子量级的卡控标准,但是干法刻蚀后的
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