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中芯国际近日宣布成功开发出0.11微米CMOS图像传感器（CIS）工艺技术，在此工艺下生产的CIS器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
中芯国际开发出0.11微米CIS工艺技术
【摘 要】
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中芯国际近日宣布成功开发出0.11微米CMOS图像传感器（CIS）工艺技术，在此工艺下生产的CIS器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2008年11期
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