【摘 要】
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用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO2成本低，省时.氧化硅膜的厚度，表面粗糙度和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京,国家光电子工艺中心北京
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用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO2成本低，省时.氧化硅膜的厚度，表面粗糙度和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到：氧化的多孔硅的膜厚已达21.2μm；表面粗糙度在1nm以内，Si和O的组分比为1:1.906.这些结果表明，用氧化多孔硅方法制备的厚SiO2膜满足低损耗光波导器件的要求.
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