SnO2纳米线的低温生长及光致发光研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：water_please

【摘要】

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在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的SnO2纳米线.测试了SnO2纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的峰是新发现的峰,它是孪晶纳米线的面缺陷造

【作者】

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王冰徐平杨国伟

【机构】

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深圳大学电子科学与技术学院深圳微纳光子信息技术重点实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2008年8期

【关键词】

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晶体生长纳米材料形貌光致发光 crystal growth nanomaterials morphology photoluminescence

【基金项目】

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深圳大学科研启动基金资助项目（批准号：200839）

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在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的SnO2纳米线.测试了SnO2纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的峰是新发现的峰,它是孪晶纳米线的面缺陷造成的.SnO2纳米线的低温生长机制遵从VLS生长机制,且与SnO粉末的应用有一定的关系.SnO2纳米线的较小尺度与气相因子的低温度低浓度化学反应有关.

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