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以电阻率为1.1-1.5Ω·cm的N-（111）Si单晶为衬底和厚度为2-20nm的Au膜层为金属催化剂，在N2气流量为0.4-2.0L／min和温度为1000-1100℃的退火条件下，利用固-液-固（SLS）生长机制，直接从Si单晶制备出了Si纳米线。扫描电子显微镜（SEM）的测量证实，Si纳米线直径为50-150nm、长度为数微米到数十微米。讨论了退火温度、N2气流量和Au膜层厚度对Si纳米线的形成与结构的影响。实验结果表明，制备高密度、分布均匀且生长方向趋于一致的Si纳米线的最佳工艺参数为