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在垂直Bridgman晶体生长装置中，熔体的热质对流是由于温度梯度和浓度梯度间的相互作用引起的，而温度梯度和浓度梯度由晶体热物性和生长炉结构所决定。由于温度梯度和浓度梯度的耦合作用，坩埚中熔体的流动结构形式多样，由流动引起的溶质分布也呈多种形式。本文以GeSi多组元化合物半导体晶体为对象，数值研究了垂直Bridgman晶体生长过程中的热质对流现象，分析了热Rayleigh数、GeSi晶体热物性、生长炉结构对热质对流和径向溶质分凝的影响规律。结果表明：在垂直Bridgman装置中，熔体的热质对流是由于生长炉