Fe／S／GaAs（100）界面形成研究

来源 :青岛大学学报：工程技术版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：information1005

【摘要】

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为了改善界面费米能级钉扎,运用CH3CSNH2/NH4OH对GaAs(100)表面进行钝化,并对界面的形成过程进行研究.结果表明,经高温退火处理后,S在GaAS(100)表面以Ga-S的形式存在,没有形

【作者】

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祝传同张笑言祝传刚

【机构】

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山东济南一建集团,山东菏泽质量技术监督局,海军潜艇学院科研部

【出处】

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青岛大学学报：工程技术版

【发表日期】

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2005年2期

【关键词】

：

材料处理薄膜钝化 material treatment film passivation

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为了改善界面费米能级钉扎,运用CH3CSNH2/NH4OH对GaAs(100)表面进行钝化,并对界面的形成过程进行研究.结果表明,经高温退火处理后,S在GaAS(100)表面以Ga-S的形式存在,没有形成化合物;研究了Fe生长过程中的成键特性和电子态,Fe淀积到S/GaAs(100)表面,引起0.5 eV的能带弯曲,Fe与Ga、S发生较强的化学反应,而与As的反映被消弱.随着Fe覆盖度的增加,S原子停留在界面处,起到绝缘层的作用,而As和Ga则存在扩散和偏析现象,Fe在S/GaAs(100)表面以岛状形式

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