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研究了TiO2掺杂对SrTiO3电容-压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律.研究结果表明TiO2添加量较小时瓷体不能实现半导化.随着TiO2添加量的增大,烧结后的表观电阻率减小,压敏电压和非线性指数减小,表观介电常数增大.SEM观察发现TiO2添加量较小时晶粒内部出现裂痕,较多的TiO2添加量利于晶粒的长大.