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采用基于密度泛函理论（DFT）的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3（BTO）的电子结构进行了第一性原理研究。结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡（BZT）的总态密度向高能量方向移动且禁带宽度逐渐增大,导电性能降低,介质损耗减小。
锆钛酸钡(BZT)电子结构的第一性原理研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函理论（DFT）的赝势平面波法,对Zr掺杂BaTiO3（BTO）的电子结构进行了第一性原理研究。结果表明,纯四方相钛酸钡的禁带宽度为1.863eV;随着锆含量的增加,锆钛酸钡（BZT）的
【机 构】
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重庆科技学院冶金与材料工程学院,中国工程物理研究院化工材料研究所
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2011年5期
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