【摘 要】
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为了提高Tb3＋离子在硅基薄膜中的吸收截面与光发射效率,本文通过在硅基薄膜中引入具有更大吸收截面的SnO2纳米晶体,利用共振能量转移机制,大幅提高了Tb3＋离子的光发射效率。首
【机 构】
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宁波大学信息科学与工程学院,南京大学固体微结构国家实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（61704094,61474068）, 浙江省教育厅研究基金（Y201737316）, 宁波市自然科学基金（2017A610102）, 宁波大学王宽诚幸福基金资助项目.
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为了提高Tb3＋离子在硅基薄膜中的吸收截面与光发射效率,本文通过在硅基薄膜中引入具有更大吸收截面的SnO2纳米晶体,利用共振能量转移机制,大幅提高了Tb3＋离子的光发射效率。首先,利用限制性晶化原理,采用基于旋涂技术的溶胶凝胶法制备了Tb3＋离子与SnO2纳米晶体共掺杂非晶SiO2薄膜。然后,通过选择最佳掺杂浓度的SnO2纳米晶体作为敏化剂,Tb3＋离子掺杂SiO2薄膜在541 nm处的特征荧光发射强度增大了2个数量级。荧光激发谱与瞬态荧光寿命谱测试结果表明,Tb3＋离子与SnO2纳米晶体之间存在着有效的
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