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采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器具有一次写多次读的忆阻特性。
溶液法制备全碳忆阻器
【摘 要】
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采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,中国科学院宁波材料技术与工程研究所
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2020年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61474127,61674156,51702336)
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