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采用侧向外延（ELOG）方法，在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN、AFM，化学湿法腐蚀及TEM分析表明：采用两步法ELOG生长的GaN中，掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡，窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低；在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界；化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息．侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOGGaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器．