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报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α-PSC以及原始SiC的光声光谱(PAS).从光声Rosenwaig-Gersho理论出发,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系,得到多孔SiC的能隙低于原始SiC的能隙,并深入分析了能隙的变化原因,同时,对吸收边附近的吸收情况进行了讨论.
光声谱研究多孔碳化硅的能带特性
【摘 要】
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报道了用UV光照射和不用UV光照射条件下形成的p型α-PSC以及原始SiC的光声光谱(PAS).从光声Rosenwaig-Gersho理论出发,计算出多孔SiC的吸收系数与能量的关系,得到多孔SiC的能
【机 构】
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中国科学技术大学天文与应用物理系,国立公州大学化学系,中国科学技术大学物理系
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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