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由于高开关速度和低通态电阻,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程易受杂散参数的影响,表现出较强的过电流、过电压和电流电压振荡,影响SiC MOSFET的高效、高质、安全应用和潜能充分利用。半桥电路为逆变器、PWM整流器、多电平变流器等众多电力电子电路的组成单元。该文以SiC MOSFET半桥电路为研究对象,结合实测波形,详细分析了SiC MOSFET半桥电路的开关瞬态过程和换流回路,推导出综合考虑电路主要寄生参数、器件寄生结电容非线性特性和跨导系数非线性的瞬态电流和电压的