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测量了包含有超薄层ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料的光电流谱，比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡超薄层ＡｌＡｓ势垒的隧穿时间，得到了光电导对外电场的依赖关系。
光和热诱导载流子的光电流谱比较研究
【摘 要】
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测量了包含有超薄层ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料的光电流谱，比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡超薄层ＡｌＡｓ势垒的隧穿时间，得到了光电导对外电场的依赖关系。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海,中国科学院上海技术?
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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1998年1期
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