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本文第一次公布了 GaN:Mg 的金属有机气相外延生长法和它的发光性质,所用有机 Mg 气源是 Cp2Mg 或MCp2Mg。实验发现在 GaN 中的 Mg 浓度正比于 Mg 气源的流动速率。Mg 进入 GaN 中的掺杂效率在衬底温度处于850到1040℃之间时与此温度无关;Mg 在 GaN 中起受主作用,并形成蓝色发光中心。用制备 GaN:Mg/GaN 的办法可制成高效的近紫外光和蓝色发光二极管。