【摘 要】
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采用发射区掺杂很低的液相外延作出了GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。研究了一种扩散外延结构。I_c=10mA时,测出的转移频率接近5GHz,尽管发射极基极的面积较大(SEB～4×10~
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采用发射区掺杂很低的液相外延作出了GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管(HBT)。研究了一种扩散外延结构。I_c=10mA时,测出的转移频率接近5GHz,尽管发射极基极的面积较大(SEB～4×10~(-5)cm~2),在小电流时也获得高的转移频率(I_C=1mA时,f_T=1.3GHz)。这些数据是目前有关HBT报导中最好的,而且很有希望用于低功率高速逻辑。
A GaAlAs-GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) was fabricated by liquid-phase epitaxy with a very low emission in the emitter region. A diffusion epitaxial structure was studied. I_c = 10mA, the measured transfer frequency close to 5GHz, although the emitter base area larger (SEB ~ 4 × 10 ~ (-5) cm ~ 2), at low currents also get a high transfer frequency (I_C = 1mA, f_T = 1.3GHz). These data are currently the best in HBT coverage and are promising for low-power, high-speed logic.
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