【摘 要】
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基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜，在衬底温度550℃、射频（13．56MHz）电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（SEM）对多个样
【机 构】
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黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室,黑龙江大学集成电路重点实验室
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基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜，在衬底温度550℃、射频（13．56MHz）电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（SEM）对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析，薄膜结晶粒取向均为〈111〉、〈220〉、〈311〉晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理，硅衍射峰明显加强。结果表明，退火温度越高，退火时间越长，得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦，择优取向为〈111〉晶向，晶粒也相对增大。
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