多晶硅薄膜的工艺研究

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【摘要】

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研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,

【作者】

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王军祁康成成建波

【机构】

：

电子科技大学

【出处】

：

材料热处理学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 退火 Amorphous silicon Annealing Crystallization Films

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研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.

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