TT electronics公司DDR SRAM终端网络

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【摘要】

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TT electronics BI Technologies电子元件部最近推出终端网络家族的新成员，BB1110B／BB2110D系列。这些DDRSRAM(双倍数据率静态随机接入存储器)网络适于高速通信应用，使用球栅阵

【出处】

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电子产品世界

【发表日期】

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2005年01B期

【关键词】

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终端网络随机接入 BGA 寄生效应 electronics公司球栅阵列数据率 DDR SRAM 存储器

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TT electronics BI Technologies电子元件部最近推出终端网络家族的新成员，BB1110B／BB2110D系列。这些DDRSRAM(双倍数据率静态随机接入存储器)网络适于高速通信应用，使用球栅阵列(BGA)连接，减小电气寄生效应。BI Technologies的DDR SRAM终端网络带有18bit SSTL-2终端组，

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