Strain Relaxation Related Photoluminescence Bands in Ge/Si Short Period Superlattices

来源 :半导体光子学与技术:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lizhaoxin1983
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Pure-Ge/Si short period superlattice (SPS) grown by gas source MBE(GSMBE) is studied by photoluminescence spectroscopy and Raman scattering spectroscopy.An abnormal band in photoluminescence is found in an intermediate range of Lsi between 1.9nm-2.9nm for
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