【摘 要】
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采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜
【机 构】
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青岛大学物理科学学院,ElectronicCeramicsCenter
【基金项目】
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山东省自然科学基金项目支持（批准号：ZR2011FM010,ZR2012FM02）
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采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜的沉积速率、结晶质量、表面形貌以及薄膜透过率的影响。发现随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜的沉积速率增加。随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜中In2O3的峰逐渐减小。当溅射功率为90W时,In2O3峰消失,薄膜结构转变为非晶结构。薄膜的晶粒尺寸随着溅射功率的增大而减小,粗糙度随溅射功率的增大先增
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