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从等温和非等温两个角度，在250K～573K（-23℃～300℃）范围内，对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。
体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
【摘 要】
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从等温和非等温两个角度，在250K～573K（-23℃～300℃）范围内，对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
【出 处】
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现代电子技术
【发表日期】
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2006年23期
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