【摘 要】
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本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，研究了薄膜的高温真空退火效应．实验表明，退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和发光性质．
In this paper, silicon carbide
【机 构】
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中国科学技术大学结构研究开放实验室，中国科学技术大学结构中心和结构研究开放实验室，中国科学技术大学应用化学系
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本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，研究了薄膜的高温真空退火效应．实验表明，退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和发光性质．
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