【摘 要】
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对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和GaxIn1-xP太阳电池性能的影响，并对国外研究中用于制备GaxIn1-xP材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、GaxIn1-xP太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述，
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【基金项目】
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重点实验室基金一般项目（61428080107）；
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对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和GaxIn1-xP太阳电池性能的影响，并对国外研究中用于制备GaxIn1-xP材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、GaxIn1-xP太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述，总结了近年来HVPE法制备GaxIn1-xP材料在太阳电池领域的研究进展，HVPE有望代替MOCVD而成为GaxIn1-xP的主流制备工艺。最后，对HVPE法制备GaxIn1-xP太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结，并对国内在该领域的研究工作指明了方向。
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