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运用脉冲激光沉积方法，在Pt（111）基片上沉积制备Hf0．5Zr0．5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射（XRD）分析表明，薄膜的正交相随衬底温度升高而增强，随薄膜厚度增加而减小。P－E电滞回线实验表明，提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃中原位退火后薄膜剩余极化（2Pr）达到8μC／cm^2。5V以下薄膜漏电流密度为3．2×10－6A／cm^2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明，在经过2×10^9次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。