【摘 要】
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以掺硼硅锭(电阻率0.01Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射
【机 构】
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常州大学机械工程学院; 南京航空航天大学机电学院;
【基金项目】
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江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB460001);国家高技术研究发展(863)计划(2012AA050301)
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以掺硼硅锭(电阻率0.01Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射光谱(ICP-OES)等测试手段对获得的产物进行测试分析,绝大部分纳米硅颗粒尺寸集中在30~60 nm,其硼含量的质量分数为19×10-4%。在此基础上,将制备纳米硅颗粒配制为质量分数为15%的纳米硅浆料,通过丝网印刷在太阳硅片上,经850℃高温烧结后,硅片表面方阻可由100Ω□/降到30Ω□/。
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