3月的宁波下着小雨，在鄞州工业园区一片待兴建的土地上，宁波鄞州中国“芯”之城正举行奠基仪式，宣布宁波时代全芯科技有限公司的相变存储芯片厂正式破土动工。
　　这是时代全芯相变存储芯片厂的一期项目，总投资达到1.5亿美元。据时代全芯董事长张龙介绍，公司将力争在5年内启动二期项目，最终完成总投资20亿美元以上，实现自己建厂、研发及生产具有完整知识产权的芯片产品，使中国人的“芯片梦”成真。
　　去年11月，时代全芯发布了中国首款相变存储技术，成为世界上除三星和美光之外第三家拥有这项技术的企业，并将打破存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面。目前，时代全芯已获得全球57项专利。张龙介绍说，去年1月芯片厂确定选址宁波鄞州，得到了宁波市和鄞州区政府的大力支持。在不到一年的时间里，已按照相关规定完成了环保评估，并在力利记投资集团、银创财富（中国）管理集团的力推下举办了奠基仪式。之后，预计5月份开始建设相变存储器厂，并在2015年年中进入投产阶段，12月份实现一期全产能8000片的生产规模。
　　相变存储技术近年来得到业界关注，并正在逐渐步入商品化市场。英特尔、IBM、三星以及美光等公司和大量的高校、研究所都在这一领域投入重金进行研究。目前，该项技术只有三星、美光、中芯国际和时代全芯能实现量产。在奠基仪式的现场，记者采访到IBM科技部副总裁Tze-Chiang Chen博士。他表示，在今天数据暴增的时代，存储器的重要性显而易见，IBM非常重视相变存储，并与时代全芯合作，希望未来采用该公司生产的存储器芯片。
　　时代全芯科技公司是由北京力利记投资集团与香港世峰科技有限公司合资成立的高科技企业。张龙说，公司的管理团队由国际顶尖华裔科学家为主体组成，而科研团队则拥有来自世界各地的40多位专家。张龙表示，相变存储技术未来将带来更多全新的、甚至是我们目前还无法想像的应用模式，其创造的价值以及未来的市场发展空间都十分巨大。“时代全芯的目标是在半导体产业面临重大战略机遇之际，凭借新的相变存储技术和独家专利技术，成为存储芯片和应用的主导力量，引领新一代存储技术和产品。”张龙说。
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　　相变存储
　　相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。相（phase）是物理化学上的一个概念，它指的是物体的化学性质完全相同，但是物理性质发生变化的不同状态。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做“相变”，例如水从液态转化为固态。相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出的导电性差异来存储数据的，因此称为相变存储器。
　　与闪存相比，PCM同样属于非易失性存储，不过，它比闪存更耐用。闪存的寿命通常约为10万次读/写，而PCM的耐用性则比闪存要高数千直至数百万倍，这一特性未来将使PCM在企业级存储应用中拥有更多的优势。另外，PCM最值得称道的还是其卓越的存储性能，其编程速度与闪存相比具有数量级的优势。