微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料

来源 :材料科学与工艺 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhanghui1860

【摘要】

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选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明：

【作者】

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胡盛青万绍平刘韵妍舒阳会谭春林

【机构】

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湖南航天高新材料与装备技术研发中心,湖南航天诚远精密机械有限公司

【出处】

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材料科学与工艺

【发表日期】

：

2012年1期

【关键词】

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微波烧结真空压力浸渗 SiCp/Al

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选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明：复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W（m.K）-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异

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