【摘 要】
：
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效
【机 构】
：
河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所,河北工程大学信息与电气工程学院
论文部分内容阅读
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时.不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013 cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因.并讨论了抑制电流崩塌的办法.
其他文献
不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在.高电荷态离子与Si相互作用产生
为了表征复杂涂层表面的光学散射特性,在微面元理论的基础上,建立了典型涂层样片的偏振双向反射分布函数模型。由于实验数据与模型参数之间存在复杂的非线性关系,采用了遗传
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响.结果表明:高压烧结制备AlN陶瓷能有
为了满足激光等离子体X射线波长测量的需要,在辅助光阑法的基础上,从理论上提出了一种用平面晶体谱仪确定波长的新方法.发展了改进的辅助光阑法来确定晶体面与记录面的交线到
由于背景干涉条纹的影响,在激光视频显示系统中,通常获得的激光视频图像不仅对比度降低,而且像质较差.通过采用多像素扫描法,成功地突破了投影显示方式的技术瓶颈,消除了这种
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等
RTP(RbTiOPO4)是一种新型电光晶体,具有高电阻率、大电光系数、高抗光伤阈值等优点,成为理想的电光调Q晶体。采用两块4mm×4mm×5.3mm的RTP晶体作为电光开关,实现了高重复率R
根据电磁场在金属薄膜中的能量分布规律和金属薄膜具有复介电常数的特点,对激励表面等离子共振的金属薄膜的最佳厚度进行了探讨.指出金属薄膜的最佳厚度与激励光波长和金属薄
研究了总应变控制下比例加载和不同相位差(45°和90°)的非比例加载条件下GH4169镍基高温合金650℃双轴疲劳的断口特性.结果表明,比例加载时,裂纹在试样表面均匀萌生;随非比
金属凝固过程中,铸件与铸型间的界面换热系数是数值模拟所必需的边界条件之一.充分考虑非线性瞬态热传导过程测温数据的误差特点,根据Tikhonov正则化理论,构造合适的正则化泛