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本发明涉及一种超长杆状ZnO单晶材料及其制备方法，具体涉及一种长度是厘米级的ZnO杆状结构的制备所用的热蒸发方法，属于半导体光电子材料与器件的制备技术领域。本发明提供的超长杆状ZnO单晶材料长度为0．5～15mm，直径为80～4000nm的杆状结构的宏观ZnO单晶结构。以ZnO粉、石墨粉和CuO粉做原料，