【摘 要】
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通过对锗的光吸收系数与电阻率关系的计算和对一些测量结果的分析以及制作激光器的实践表明：电阻率大于6欧姆?厘米左右的Ν型锗单晶在10.6微米附近都具有较低的光吸收系数，都可作为CO2激光器的窗口材料，近本征的高阻锗单晶的吸收系数并不是最小，室温下光吸收系数极小值位于电阻率为14欧姆?厘米附近，随着温度升高，这个极小值的位置向电阻率小的方向移动。
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通过对锗的光吸收系数与电阻率关系的计算和对一些测量结果的分析以及制作激光器的实践表明：电阻率大于6欧姆?厘米左右的Ν型锗单晶在10.6微米附近都具有较低的光吸收系数，都可作为CO2激光器的窗口材料，近本征的高阻锗单晶的吸收系数并不是最小，室温下光吸收系数极小值位于电阻率为14欧姆?厘米附近，随着温度升高，这个极小值的位置向电阻率小的方向移动。
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