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采用循环伏安法及原位镀铋制备了聚酪氨酸/Bi复合膜修饰玻碳电极(p-Tyr/Bi/GC),并用交流阻抗谱及扫描电镜表征了复合膜电极的电子传递阻抗及表面形态。发现聚酪氨酸膜能促进电极表面电子交换,有利于高灵敏Pb2+传感器的研制。以复合膜电极对Pb2+的方波阳极溶出伏安响应电流探讨了聚酪氨酸修饰玻碳电极的最佳制备及测试条件。结果表明电极制备液中酪氨酸的最佳浓度为1.5 mmol·L-1,聚合圈数为15;测试液中Bi3+的最佳浓度为1.0μmol·L-1,pH值为6.0,富集电位为-1.2