【摘 要】
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研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理.在四种不同测试条件下,对P-Flash存储器进行了编程/擦除的耐
【机 构】
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中国科学院大学微电子学院,北京,100029;中芯国际集成电路制造有限公司,北京,100176
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研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理.在四种不同测试条件下,对P-Flash存储器进行了编程/擦除的耐久性测试.测试结果表明,在高温且延时的条件下,器件的耐久性最差.耐久性与编程/擦除之间的延时相关,延时越长,耐久性衰减越严重.在器件编程后的延时过程中,SiO2/Si界面处被氢原子钝化的硅悬挂键发生断裂.氢原子的不稳定性导致更多的界面陷阱电荷和氧化层电荷的产生,使得阈值电压负向偏移,造成负偏压温度的不稳定.通过优化BEOL工艺,可有效改善P-Flash存储器的耐久性.
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