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本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10~(-16)A/μm~2。MLD法是快速提供高浓度、浅结、无损伤、选择掺杂的颇具吸引力的方法。