【摘 要】
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用有机金属试剂在〈111〉A衬底上生长了CdTe和HgCdTe外延膜。在370和410℃试验衬底温度下生长了镜面状CdTe膜。在400-410℃的衬底温度下取得了x≥0.15的镜面状Hg_(1-x)Cd_XTe
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用有机金属试剂在〈111〉A衬底上生长了CdTe和HgCdTe外延膜。在370和410℃试验衬底温度下生长了镜面状CdTe膜。在400-410℃的衬底温度下取得了x≥0.15的镜面状Hg_(1-x)Cd_XTe膜。HgCdTe的生长率,Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te标定为Gμm/h。HgCdTe薄膜为n型,在液氮温度下测得Hg_(0.85)Cd_(0.15)Te的迁移率为140 OOOcm~2/Vs。CdTe-HgCdTe异质结处的相互扩散宽度标定为1μm。
CdTe and HgCdTe epitaxial films were grown on <111> A substrates with organometallic reagents. A mirror-like CdTe film was grown at 370 and 410 ° C test substrate temperature. A mirror-like Hg_ (1-x) Cd_TeTe film with x ≧ 0.15 was obtained at a substrate temperature of 400-410 ° C. The growth rate of HgCdTe and Hg_ (0.8) Cd_ (0.2) Te were calibrated to Gμm / h. The HgCdTe thin film is n-type and the mobility of Hg_ (0.85) Cd_ (0.15) Te is 140 OOOcm ~ 2 / Vs measured at liquid nitrogen temperature. The interdiffusion width at the CdTe-HgCdTe heterojunction was calibrated to 1 μm.
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