【摘 要】
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利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)xGe1-x-H和(FeCo)xGe1-x磁性半导体薄膜。对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)xG
【基金项目】
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山东交通学院博士科研启动基金资助项目,国家青年科学基金项目(11904394)
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利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)xGe1-x-H和(FeCo)xGe1-x磁性半导体薄膜。对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)xGe1-x-H的非晶结构没有影响;红外光谱测量结果显示,与氢钝化Si的悬挂键不同,氢没有钝化Ge的悬挂键;X光电子能谱测量结果表明,(FeCo)0.70Ge0.30-H和(FeCo)0.70Ge0.30薄膜中的(FeCo)与Ge的相对原子比值与样品制备时设定的比值一致,(FeCo)0.70Ge0.30-H薄膜
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