【摘 要】
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利用简单模型研究了GaAs、InP和InAs三种材料的半导体激光器其线宽展宽因子(α因子)。根据增益理论模拟计算了不同载流子浓度情况下三种材料的增益曲线,通过微分增益和光子能
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学机电工程学院
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利用简单模型研究了GaAs、InP和InAs三种材料的半导体激光器其线宽展宽因子(α因子)。根据增益理论模拟计算了不同载流子浓度情况下三种材料的增益曲线,通过微分增益和光子能量对载流子浓度的微分分析了带间跃迁对α因子的影响,并综合各个方面的影响得到了三种材料的α因子。结果表明,由于InAs材料带隙和导带有效质量较小容易实现大的增益,但同时其线宽展宽因子也最大;InP具有最小的线宽展宽因子。对于有源区材料带隙和导带有效质量较大的激光器材料,在计算线宽展宽因子时可以忽略自由由载流子吸收对它的影响。
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