【摘 要】
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通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响。将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅（UMG-Si）中,定向凝固多晶硅。研究发现,硅锭位错密度沿
【机 构】
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中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室,常州天合光能有限公司光伏科学与技术国家重点实验室
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通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响。将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅（UMG-Si）中,定向凝固多晶硅。研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高。在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度。当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81μs分别增加至1.22μs、1.47μs和1.31μs。掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力
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