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本文阐述了反应离子刻蚀（ＲＩＥ）工艺过程中充电效应产生的机理，认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的，推导了等离子体充 流的表达式，并根据等离子体充电前后Ｑｂｄ值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度。
反应离子刻蚀工艺中的充电效应
【摘 要】
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本文阐述了反应离子刻蚀（ＲＩＥ）工艺过程中充电效应产生的机理，认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的，推导了等离子体充 流的表达式，并根据等离子体充电前后Ｑｂｄ值的差异计算了等离子体
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所微电子学分部
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2000年11期
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